IGFET，增强型，N 沟道，衬底接源极符号（DWG 图块）
IGFET，增强型，N 沟道，衬底接源极是常用电气符号（IEC 60617）中名为 IEC_IGFET_ENH_N_SUBSRC 的可直接使用的 AutoCAD 图块，属于“半导体器件”组。它带有 8 个属性，其中 2 个可见，可用于设备清单和 BlockSync 导出。
图块信息
| 图块名 | IEC_IGFET_ENH_N_SUBSRC |
|---|---|
| 所属库 | 常用电气符号（IEC 60617） |
| 分组 | 半导体器件 |
| 标准 | IEC 60617 |
| 属性 | 共 8 个属性，2 个可见 |
属性
图上可见：TAG, TYPE。
不可见，携带清单所需的数据：VOLTAGE, CURRENT, PACKAGE, MANUFACTURER, PART_NO, DESC。
用 BlockSync 把图中每个副本的属性导出到 Excel，核对后一次写回。
使用方法
- 下载 ZIP 并解压，里面是一个包含图块 IEC_IGFET_ENH_N_SUBSRC 的 DWG。
- 打开 DWG 把图块复制到你的图纸里，或用 INSERT 从该 DWG 插入。
- 双击图块副本，填写编号和其他属性。
这个符号是我们参照 IEC 60617 的通用形式自己绘制的，不是经认证的复制品。库页面说明了这些符号与标准的关系。
其他语言中的名称
同一个符号在网站其他语言中的名称。
- 英语
- IGFET, enhancement, N channel, substrate to source
- 简体中文
- IGFET，增强型，N 沟道，衬底接源极
- 繁体中文
- IGFET，增強型，N通道，基體接源極
- 日语
- IGFET エンハンスメント形 Nチャネル 基板-ソース接続
- 韩语
- IGFET, 증가형, N채널, 기판-소스 접속
- 德语
- IGFET, Anreicherungstyp, N-Kanal, Substrat an Source
- 法语
- IGFET à enrichissement, canal N, substrat relié à la source
- 意大利语
- IGFET ad arricchimento, canale N, substrato collegato al source
- 西班牙语
- IGFET de enriquecimiento, canal N, sustrato a fuente
