RessourcesSymboles électriques courants (IEC 60617)
Symbole IGFET à enrichissement, canal P, substrat sorti (bloc DWG)
IGFET à enrichissement, canal P, substrat sorti est un bloc AutoCAD prêt à l’emploi nommé IEC_IGFET_ENH_P_SUB dans la bibliothèque Symboles électriques courants (IEC 60617), groupe « Semi-conducteurs ». Il porte 8 attributs, dont 2 visibles, et sert aux listes d’équipements et aux exports BlockSync.
Détails du bloc
| Nom du bloc | IEC_IGFET_ENH_P_SUB |
|---|---|
| Bibliothèque | Symboles électriques courants (IEC 60617) |
| Groupe | Semi-conducteurs |
| Norme | IEC 60617 |
| Attributs | 8 attributs, 2 visibles |
Attributs
Visibles sur le dessin : TAG, TYPE.
Invisibles, ils portent les données des listes : VOLTAGE, CURRENT, PACKAGE, MANUFACTURER, PART_NO, DESC.
Exportez avec BlockSync les attributs de chaque copie d’un dessin vers Excel, vérifiez-les et réécrivez les corrections en une passe.
Comment l’utiliser
- Téléchargez le ZIP et décompressez-le. Il contient un DWG avec le bloc IEC_IGFET_ENH_P_SUB.
- Ouvrez le DWG et copiez le bloc dans votre dessin, ou insérez-le depuis le DWG avec INSERT.
- Double-cliquez sur une copie pour renseigner le repère et les autres attributs.
Le symbole est notre propre dessin d’après la forme courante de IEC 60617, pas une copie certifiée. La page de la bibliothèque explique le lien entre les symboles et la norme.
Noms dans d’autres langues
Le même symbole sous son nom dans les autres langues du site.
- anglais
- IGFET, enhancement, P channel, substrate out
- chinois simplifié
- IGFET，增强型，P 沟道，衬底引出
- chinois traditionnel
- IGFET，增強型，P通道，基體引出
- japonais
- IGFET エンハンスメント形 Pチャネル 基板端子引出し
- coréen
- IGFET, 증가형, P채널, 기판 인출
- allemand
- IGFET, Anreicherungstyp, P-Kanal, Substrat herausgeführt
- français
- IGFET à enrichissement, canal P, substrat sorti
- italien
- IGFET ad arricchimento, canale P, substrato esterno
- espagnol
- IGFET de enriquecimiento, canal P, sustrato accesible
