RisorseSimboli elettrici più usati (IEC 60617)
Simbolo IGFET ad arricchimento, canale P, substrato esterno (blocco DWG)
IGFET ad arricchimento, canale P, substrato esterno è un blocco AutoCAD pronto all’uso chiamato IEC_IGFET_ENH_P_SUB nella libreria Simboli elettrici più usati (IEC 60617), gruppo «Semiconduttori». Ha 8 attributi, 2 dei quali visibili, e serve per elenchi di apparecchiature ed esportazioni BlockSync.
Dettagli del blocco
| Nome del blocco | IEC_IGFET_ENH_P_SUB |
|---|---|
| Libreria | Simboli elettrici più usati (IEC 60617) |
| Gruppo | Semiconduttori |
| Norma | IEC 60617 |
| Attributi | 8 attributi, 2 visibili |
Attributi
Visibili nel disegno: TAG, TYPE.
Nascosti, contengono i dati per gli elenchi: VOLTAGE, CURRENT, PACKAGE, MANUFACTURER, PART_NO, DESC.
Con BlockSync esporti in Excel gli attributi di ogni copia in un disegno, li controlli e riscrivi le correzioni in un’unica passata.
Come si usa
- Scarica lo ZIP e decomprimilo. Contiene un DWG con il blocco IEC_IGFET_ENH_P_SUB.
- Apri il DWG e copia il blocco nel tuo disegno, oppure inseriscilo dal DWG con INSERT.
- Fai doppio clic su una copia per compilare la sigla e gli altri attributi.
Il simbolo è un disegno nostro secondo la forma comune di IEC 60617, non una copia certificata. La pagina della libreria spiega il rapporto tra i simboli e la norma.
Nomi in altre lingue
Lo stesso simbolo con il suo nome nelle altre lingue del sito.
- inglese
- IGFET, enhancement, P channel, substrate out
- cinese semplificato
- IGFET，增强型，P 沟道，衬底引出
- cinese tradizionale
- IGFET，增強型，P通道，基體引出
- giapponese
- IGFET エンハンスメント形 Pチャネル 基板端子引出し
- coreano
- IGFET, 증가형, P채널, 기판 인출
- tedesco
- IGFET, Anreicherungstyp, P-Kanal, Substrat herausgeführt
- francese
- IGFET à enrichissement, canal P, substrat sorti
- italiano
- IGFET ad arricchimento, canale P, substrato esterno
- spagnolo
- IGFET de enriquecimiento, canal P, sustrato accesible
